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荷蘭SPARKNANO空間原子層沉積系統(tǒng)S-ALD系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)與用途
點(diǎn)擊次數(shù):20 更新時(shí)間:2025-06-12
 

荷蘭SPARKNANO空間原子層沉積系統(tǒng)S-ALD系統(tǒng)產(chǎn)品介紹

 

一、 品牌與產(chǎn)品概述

荷蘭SPARKNANO公司 (SparkNano B.V.),一家專注于原子層沉積(ALD)技術(shù)的設(shè)備制造商。

核心產(chǎn)品:空間原子層沉積(S-ALD)系統(tǒng)。該技術(shù)區(qū)別于傳統(tǒng)時(shí)序ALD,采用空間分隔反應(yīng)氣體和連續(xù)基板運(yùn)動(dòng)的方式實(shí)現(xiàn)薄膜沉積。產(chǎn)品定位:提供從研發(fā)、中試到大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的S-ALD設(shè)備解決方案,滿足不同基材和產(chǎn)量的需求。

 

二、 產(chǎn)品型號與技術(shù)參數(shù)

SPARKNANO提供以下三個(gè)主要產(chǎn)品系列,對應(yīng)不同應(yīng)用場景:

1、LabLine系列

? 定位:研發(fā)、工藝開發(fā)、原型制作及中試生產(chǎn)。

? 簡介:靈活的系統(tǒng),用于探索S-ALD工藝在各種材料上的應(yīng)用。

? 工作原理:基板在反應(yīng)腔內(nèi)連續(xù)移動(dòng),依次通過物理隔離的不同前驅(qū)體和反應(yīng)氣體區(qū)域,實(shí)現(xiàn)薄膜的逐原子層生長。過程無需反復(fù)抽真空,沉積連續(xù)。

技術(shù)參數(shù):

? 適用基材:晶圓、玻璃、金屬箔、聚合物箔、多孔材料。

? 最大樣品區(qū):420 mm x 300 mm。

? 前驅(qū)體通道:標(biāo)準(zhǔn)4路(可擴(kuò)展)。

? 反應(yīng)選項(xiàng):H?O(標(biāo)準(zhǔn)),等離子體(O?, O?, H? 可選)。

? 溫度范圍:熱S-ALD 50250°C;等離子體S-ALD 50200°C。

? 裝載方式:手動(dòng)(雙前室)。

2、Vellum系列

? 定位:大面積剛性或柔性平面基材(如晶圓、玻璃、金屬箔)的片對片(Sheet-to-Sheet)量產(chǎn)。

? 簡介:高產(chǎn)能系統(tǒng),設(shè)計(jì)用于自動(dòng)化大批量生產(chǎn)。

技術(shù)參數(shù):

? 基板尺寸:0.5m x 0.5m 1.5m。

? 處理速度:可達(dá)20/分鐘(視基板與工藝而定)。

? 溫度范圍:熱S-ALD 50250°C;等離子體S-ALD 50200°C。

3、Omega系列

? 定位:柔性聚合物箔或金屬箔的卷對卷(Roll-to-Roll)超高產(chǎn)量量產(chǎn)。

? 簡介:專為連續(xù)處理柔性長幅材料設(shè)計(jì),追求高線速度。

技術(shù)參數(shù):

? 適用基材:聚合物箔、金屬箔。

? 幅寬:300mm 2000mm (可定制)

? 線速度:可達(dá)60/分鐘(視工藝而定)。

? 工藝兼容:熱S-ALD和等離子體S-ALD。

 

三、 核心特點(diǎn)

SPARKNANO S-ALD系統(tǒng)的特點(diǎn)包括:

? 沉積速度提升:空間連續(xù)沉積方式,相比傳統(tǒng)時(shí)序ALD,完成相同厚度薄膜所需時(shí)間通??s短(例如LabLine沉積50nm Al?O?約10分鐘)。

? 基材適應(yīng)性寬:系統(tǒng)設(shè)計(jì)可處理多種形態(tài)的材料,涵蓋剛性基底(硅片、玻璃)、柔性箔材(聚合物、金屬)以及具有孔隙的材料。

? 工藝靈活可選:支持熱模式及等離子體增強(qiáng)模式(PE-ALD),可使用多種前驅(qū)體和反應(yīng)氣體(如H?O, O?, O?, H?等離子體),擴(kuò)展了可沉積材料范圍。

? 研發(fā)到生產(chǎn)路徑清晰:LabLine的工藝開發(fā)成果可直接遷移至Vellum(片對片量產(chǎn))或Omega(卷對卷量產(chǎn))系統(tǒng),支持技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

? 模塊化理念:設(shè)備設(shè)計(jì)考慮模塊化,便于根據(jù)特定應(yīng)用需求進(jìn)行配置調(diào)整或后續(xù)功能升級。

 

四、 應(yīng)用領(lǐng)域

SPARKNANO S-ALD系統(tǒng)適用于多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域,具體應(yīng)用如:

? 能源存儲:用于鋰離子電池電極材料涂層、固態(tài)電池電解質(zhì)/電極界面層、電池隔膜涂層,提升電池性能和壽命。

? 光伏太陽能:用于晶硅太陽能電池表面鈍化層、薄膜太陽能電池的功能層(緩沖層、窗口層等)沉積。

? 平板顯示:用于OLED顯示器的薄膜封裝層(TFE),阻隔水氧,延長器件壽命。

? 新興能源技術(shù):用于電解水制氫(綠氫)設(shè)備中的催化劑涂層、膜電極制備。

? 半導(dǎo)體相關(guān):用于先進(jìn)封裝中的介質(zhì)層沉積、MEMS器件功能薄膜沉積。


 
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